technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c h?chstzul?ssige werte / maximum rated values elektrische eigenschaften / electrical properties kollektor-emitter-sperrspannung collector-emitter voltage v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom t c = 80 c i c,nom. 800 a dc-collector current t c = 25 c i c 1250 a periodischer kollektor spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1 ms, t c = 80c i crm 1600 a gesamt-verlustleistung total power dissipation t c =25c, transistor p tot 5,0 kw gate-emitter-spitzenspannung gate-emitter peak voltage v ges +/- 20v v dauergleichstrom dc forward current i f 800 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 1600 a grenzlastintegral der diode i 2 t - value, diode v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c i 2 t 140 ka 2 s isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv charakteristische werte / characteristic values transistor / transistor min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung i c = 800a, v ge = 15v, t vj = 25c v ce sat - 2,1 2,6 v collector-emitter saturation voltage i c = 800a, v ge = 15v, t vj = 125c - 2,4 2,9 v gate-schwellenspannung gate threshold voltage i c = 32ma, v ce = v ge , t vj = 25c v ge(th) 4,5 5,5 6,5 v gateladung gate charge v ge = -15v...+15v q g - 8,6 - c eingangskapazit?t input capacitance f = 1mhz,t vj = 25c,v ce = 25v, v ge = 0v c ies -56-nf rckwirkungskapazit?t reverse transfer capacitance f = 1mhz,t vj = 25c,v ce = 25v, v ge = 0v c res - 3,6 - nf kollektor-emitter reststrom v ce = 1200v, v ge = 0v, t vj = 25c i ces - 0,02 1,5 ma collector-emitter cut-off current v ce = 1200v, v ge = 0v, t vj = 125c - 1 - ma gate-emitter reststrom gate-emitter leakage current v ce = 0v, v ge = 20v, t vj = 25c i ges - - 600 na prepared by: mark mnzer date of publication: 02.09.1999 approved by: m. hierholzer revision: 2 1(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c charakteristische werte / characteristic values transistor / transistor min. typ. max. einschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 800a, v ce = 600v turn on delay time (inductive load) v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 25c t d,on - 0,27 - s v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 125c - 0,29 - s anstiegszeit (induktive last) i c = 800a, v ce = 600v rise time (inductive load) v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 25c t r - 0,16 - s v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 125c - 0,17 - s abschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 800a, v ce = 600v turn off delay time (inductive load) v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 25c t d,off -1-s v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 125c - 1,1 - s fallzeit (induktive last) i c = 800a, v ce = 600v fall time (inductive load) v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 25c t f - 0,1 - s v ge = 15v, r g = 1,8 ? , t vj = 125c - 0,11 - s einschaltverlustenergie pro puls i c = 800a, v ce = 600v, v ge = 15v turn-on energy loss per pulse r g = 1,8 ? , t vj = 125c, l s = 70nh e on - 120 - mws abschaltverlustenergie pro puls i c = 800a, v ce = 600v, v ge = 15v turn-off energy loss per pulse r g = 1,8 ? , t vj = 125c, l s = 70nh e off - 130 - mws kurzschlu?verhalten t p 10sec, v ge 15v, r g = 1,8 ? sc data t vj 125c, v cc =900v, v cemax =v ces -l sce di/dt i sc - 5300 - a modulinduktivit?t stray inductance module l sce - 20 - nh modul leitungswiderstand, anschlsse ? chip module lead resistance, terminals ? chip t c =25c r cc?+ee? - 0,18 - m ? charakteristische werte / characteristic values diode / diode min. typ. max. durchla?spannung i f = 800a, v ge = 0v, t vj = 25c v f - 1,8 2,3 v forward voltage i f = 800a, v ge = 0v, t vj = 125c - 1,7 2,2 v rckstromspitze i f = 800a, - di f /dt = 5700a/sec peak reverse recovery current v r = 600v, vge = -15v, t vj = 25c i rm - 420 - a v r = 600v, vge = -15v, t vj = 125c - 710 - a sperrverz?gerungsladung i f = 800a, - di f /dt = 5700a/sec recovered charge v r = 600v, vge = -15v, t vj = 25c q r - 73 - as v r = 600v, vge = -15v, t vj = 125c - 170 - as abschaltenergie pro puls i f = 800a, - di f /dt = 5700a/sec reverse recovery energy v r = 600v, vge = -15v, t vj = 25c e rec - 25 - mws v r = 600v, vge = -15v, t vj = 125c - 60 - mws 2(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c thermische eigenschaften / thermal properties min. typ. max. innerer w?rmewiderstand transistor, dc, pro modul / per module r thjc - - 0,0125 k/w thermal resistance, junction to case transistor, dc, pro zweig / per arm - - 0,0250 k/w diode/diode, dc, pro modul / per module - - 0,0210 k/w diode/diode, dc, pro zweig / per arm - - 0,0420 k/w bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thck - 0,006 - k/w thermal resistance, case to heatsink pro zweig / per arm; paste / grease = 1 w/ m * k - 0,012 - k/w h?chstzul?ssi g e sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj - - 150 c betriebstemperatur operation temperature t op -40 - 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 - 125 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix innere isolation internal insulation al 2 o 3 kriechstrecke creepage distance 17 mm luftstrecke clearance 10 mm cti comperative tracking index 275 anzugsdrehmoment f. mech. befestigung m1 4,25 5 5,75 nm mounting torque anzugsdrehmoment f. elektr. anschlsse terminals m4 m2 1,7 2 2,3 nm terminal connection torque terminals m8 8 10 nm gewicht weight g 1500 g mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c i c [a] v ce [v] i c [a] v ce [v] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 tj = 25c tj = 125c ausgangskennlinie (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic (typical) v ge = 15v 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 vge = 17v vge = 15v vge = 13v vge = 11v vge = 9v vge = 7v ausgangskennlinienfeld (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic (typical) t vj = 125c 4(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c i c [a] v ge [v] i f [a] v f [v] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 5 6 7 8 9 10 11 12 tj = 25c tj = 125c bertragungscharakteristik (typisch) i c = f (v ge ) transfer characteristic (typical) v ce = 20v 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 tj = 25c tj = 125c durchla?kennlinie der inversdiode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of inverse diode (typical) 5(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c e [mj] i c [a] e [mj] r g [ ? ? ? ? ] 0 50 100 150 200 250 300 350 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 eoff eon erec schaltverluste (typisch) e on = f (i c ) , e off = f (i c ) , e rec = f (i c ) switching losses (typical) v ge = + 15v, r gon = r goff =1,8 ? ? ? ? , v ce = 600v, t j = 125c 0 100 200 300 400 500 024681012 eoff eon erec schaltverluste (typisch) e on = f (r g ) , e off = f (r g ) , e rec = f (r g ) switching losses (typical) v ge = + 15v, i c = 600a , v ce = 600v , t j = 125c 6(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c z thjc [k / w] t [sec] i 1234 r i [k/kw] : igbt 11,4 9,9 1,7 1,9 i [sec] : igbt 0,004 0,04 0,19 0,5 r i [k/kw] : diode 17,9 9,8 11,3 3 i [sec] : diode 0,003 0,03 0,05 0,5 i c [a] v ce [v] sicherer arbeitsbereich (rbsoa) reverse bias safe operation area (rbsoa) v ge = + 15v, r g = 1,8ohm, t vj = 125c transienter w?rmewiderstand z thjc = f (t) transient thermal impedance 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 ic,modul ic,chip 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 100 zth:diode pro zweig / per arm zth:igbt pro zweig / per arm 7(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ff 800 r 12 kl4c 8(8) seriendatenblatt_FF800R12KL4C
nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie? lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die beurteilung der geeignetheit dieses produktes fr die von ihnen an visierte anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?lich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt und dessen eigenschaften keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dies es produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www.eupec.com, ve rtrieb&kontakt). fr interessenten halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt gesundheitsgef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen substanzen setzen si e sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsb ro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in gesundheits- oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer laufenden produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the produ ct data with respect to such application. this product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. should you require product information in excess of the data giv en in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). f or those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in health or live endange ring or life support applications, please notify. please note, th at for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.
|
